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SiC MOSFET在充电桩产品的应用

2026-06-01

一、充电桩的市场分析

2025年全球SiC MOSFET市场规模达4.8亿美元,其中车规级应用占比超74%。中国产能占比提升至40%,天岳先进、天科合达等企业衬底产能爆发,为充电桩提供稳定供应链。

2025年国产SiC MOSFET价格已逼近超结硅MOSFET和IGBT,预计2026-2030年将实现系统成本与硅基持平,推动在30kW以下充电桩中的普及。

随着新能源汽车800V平台的出现,主流充电模块也从之前主流的15、20kW向30、40kW发展,输出电压范围300Vdc-1000Vdc,并且具备双向充电功能,以达到V2G/V2H等技术要求。因此,越来越多充电模块企业开始采用SiC MOS方案。

二、充电桩的种类和规格

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三、SiC MOSFET在充电桩应用

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四、SiC MOSFET的性能优势

1.高开关频率:SiC MOSFET的开关速度比传统Si MOSFET快,能够显著提高电力电子系统的开关频率,从而减小电感、电容等元件的尺寸,提高系统效率。

2.低损耗:SiC MOSFET具有较低的开关和导通损耗,有助于提升系统的整体效率。

3.高阻断电压和雪崩能力:SiC MOSFET具有较高的阻断电压和雪崩能力,能够应对更高的电压和电流冲击。

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